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迈向20nm 三星/海力士推新工艺闪存

发布时间:2010-02-20 11:55:00 浏览次数:1218次 类别:技术工艺
  

  继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后,韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。

  海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片,这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第二季度投产27nm NAND闪存。


三星NAND Flash闪存芯片

  海力士表示,和30nm工艺相比,新工艺的闪存芯片的产能将翻一番,成本也将大幅度降低。根据韩国当地媒体的报道,海力士将在今年第三季度开始量产26nm闪存芯片。在这一点上三星已经占据了先机,三星称他们在去年就完成了对27nm NAND闪存芯片的研发,并计划在今年二季度进行量产。

  不过三星和海力士并没有透露,新工艺芯片是否采用了MLC存储技术。根据市场调研公司IC Insights的统计,全球NAND闪存市场今年的收入将达到188亿美元,占据半导体市场总收入的7%,高于去年的154亿美元。

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