设为首页|加入收藏 量产工具快捷入口: 慧荣 安国 群联 鑫创 联阳 芯邦 擎泰 我想 郎科 银灿 其他
联系站长
自己
热搜:
您当前所在位置: U盘启动盘制作工具-U盘之家首页 行业厂商资讯 英特尔/美光25纳米工艺晶圆工厂

英特尔/美光25纳米工艺晶圆工厂

发布时间:2010-02-20 13:00:00 浏览次数:1543次 类别:行业厂商资讯
     前不久,Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外,他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。


位于雪山脚下的IMFT工厂


工厂结构图

  工厂结构,制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层,加压吊顶形成由上向下的气流,设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。


进入工厂的准备工作

  进入无尘室之前的“打包”过程。(由于无尘室内部的严格要求,实际上以下内部照片均来自IMFT官方)


无尘工厂内部

  晶圆厂内走廊,顶端的自动运输系统(AMHS)正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输,24小时不停歇。每个运载器都搭载了一个FOUP(前端开口片盒),其中可装载最多25片300mm晶圆。


厂内地面全部打孔,保证空气从上向下流通,将落尘可能减到最小。


FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上,后面的那个正在被AMHS吊起。

  几乎所有制造过程均为自动完成,因此厂内大部分工人的工作就是保证这些设备正常运行。
  

化学机械抛光(CMP)车间


照明受限的光刻车间


一块光刻掩膜,光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。


光刻过程中的“校准”


实时缺陷监测(RDA)


FOUP片盒中的300mm晶圆


PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆,总容量超过2TB。
  

晶圆上的芯片


300mm晶圆


每片闪存颗粒die容量为8GB(每格2GB),面积167平方毫米。


Intel副总裁,NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒


尺寸对比

  从左到右分别是:

  2003年130nm工艺128MB,2005年90nm工艺512MB,2007年50nm工艺1GB,2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。

  使用25nm工艺闪存,只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划,今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘,而美光甚至计划最大推出1TB SSD。

相关阅读:TAG标签:英特尔 25 纳米 工艺 工厂 
Copyright @ 2011-2012 All Right Reserved U盘启动盘制作工具-U盘之家
网站备案: