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英特尔/美光25纳米闪存开始销售

发布时间:2010-03-25 22:48:00 浏览次数:1472次 类别:行业厂商资讯
     Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。

  IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产,这也是该领域的制造工艺首次进军到30nm之下,并应用了沉浸式光刻技术。新闪存内核面积167平方毫米,每单位容量2bit,总容量8GB,相比现有的34nm工艺闪存容量翻了一番,内核面积却小了十分之一。


Intel、美光25nm NAND闪存二季度开售

  Intel NAND闪存业务市场经理Troy Winslow打了个比方:新闪存以不超过CD光盘中间孔的大小存储了十倍于光盘容量的数据。

  对于目前闪存设备容量偏小、使用寿命有限的问题,美光NAND闪存业务市场经理Kevin Kilbuck声称,他们将在几个月内发布新型固态硬盘,初步解决这些问题。

  三星宣布将在今年第二季度投产27nm NAND闪存,海力士也已经宣布了26nm NAND闪存,不过Troy Winslow表示:“我们相信Intel、美光的领先优势即使没有9-12个月,也有5个月。”

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