设为首页|加入收藏 量产工具快捷入口: 慧荣 安国 群联 鑫创 联阳 芯邦 擎泰 我想 郎科 银灿 其他
联系站长
自己
热搜:
您当前所在位置: U盘启动盘制作工具-U盘之家首页 行业厂商资讯 三星宣布已开始送样20nm制程MLC NAND闪存芯片

三星宣布已开始送样20nm制程MLC NAND闪存芯片

发布时间:2010-04-20 09:58:00 浏览次数:1715次 类别:行业厂商资讯
  

三星公司最近宣布已经开始向部分客户送样内部集成有20nm制程MLC NAND闪存芯片的内存卡产品,在与Intel--镁光联盟的NAND闪存制程大战中占到了先机,Intel与镁光合资的IMFlash公司今年二月份曾 抢先宣布开始送样25nm制程的8GB(64Gbit)NAND闪存芯片产品,不过他们需要到今年第二季度才可以开始生产20nm制程NAND闪存芯片。


三星公司存储产品分部的总裁 Soo-In Chong自豪地表示:“在我们的30nm制程NAND闪存芯片产品开始生产后仅一年时间,三星便推出了基于20nm制程的NAND闪存芯片产品。”三星是从去年三月份开始生产30nm制程 32Gb NAND闪存芯片产品的。

三星这次推出的20nm制程8GB闪存卡产品的写入速度可达10MB/s,比上一代30nm制程8GB产品的写入速度提升了30%左右;读取速度则提升到了20MB/s。三星表示将使用新款20nm制程芯片制作容量在4GB-64GB之间的内存卡产品。

相比之下,IMFlash公司的25nm制程64Gbit NAND闪存芯片面积为167平方毫米,采用TSOP封装形式。32GB容量的NAND闪存芯片可用于制造256GB容量的SSD硬盘产品,而闪存容量为32GB的智能手机则只需要4片8GB容量的NAND闪存芯片,16GB容量的闪存卡则只需要两块这样的芯片。

据iSuppli市调公司的报告显示,去年第三季度,Intel在全球NAND闪存市场所占的市占率为6.1%,镁光则占7.7%, Numonyx (已被镁光收购)公司则占2.3%,海力士公司占10%,东芝和三星则是NAND闪存市场的领头羊,其市占率分别为34%和39%。

相关阅读:TAG标签:三星 宣布 开始 送样 20 nm 制程 MLC NAND 闪存 芯片 
Copyright @ 2011-2012 All Right Reserved U盘启动盘制作工具-U盘之家
网站备案: