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3大闪存阵营产能齐发 明年价格变化大

发布时间:2010-07-27 11:56:00 浏览次数:6010次 类别:U盘新闻
  

东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)合资兴建Fab 5于14日完成签约,预计2011年春天完工,下半年量产,将从最先进20奈米制程切入生产。值得注意的是,东芝和三星电子(Samsung Electronics)在全球NAND Flash市占率差距已不到5个百分点,三星2011年亦将启动大规模NAND Flash扩产计划,加上美光(Micron)与英特尔(Intel)可望在2010年底前启动新加坡新厂,为NAND Flash价格走势埋下一大变量!

东芝和新帝原本打算在2009年动工兴建Fab 5,但当时因为金融风暴来袭,半导体景气急转直下,使得Fab 5兴建计划延宕,如今内存景气大幅回复,加上未来NAND Flash产品相关应用提升,包括手机用内嵌式内存、固态硬盘等,促使东芝和新帝决定再度启动Fab 5兴建计划。

东芝和新帝14日完成Fab 5合资设厂签约,此座新厂将分为2个结构体,视产业景气来决定投资进度,预计从最先进20奈米制程切入,2011年春天兴建完成,下半年量产。东芝和新帝双方高层都表示,看好未来消费性电子产品对于NAND Flash需求量攀升,尤其是固态硬盘、手机等需求会大幅成长,遂决定重启Fab 5建厂计划。

此外,三星宣布巨额资本支出计划中,扩建NAND Flash产能亦将成为重要部分,尤其是东芝在全球NAND Flash市占率与三星差距已不到5个百分点,三星为保住龙头地位,势必将部署重兵在NAND Flash市场,以巩固龙头宝座。
至于美光和英特尔在新加坡厂房亦传出要重启建厂计划,预计2010年底前正式动土,届时此3大阵营一起进行大扩产,2011年NAND Flash价格势必将面临相当大挑战。

内存业者认为,由于MP3、记忆卡和随身碟市场已接近成熟,各大NAND Flash大厂扩产计划都是看好手机及PC需求,尤其是智能型手机内嵌式内存方面,未来成长空间相当可观,对于NAND Flash需求量会越来越大。

再者,SSD商机看似有卷土重来机会,但目前最大瓶颈仍是NAND Flash成本太高,未来NAND Flash制程进入20奈米,成本进一步下降后,对于推动SSD普及,应会是很好的时间点。然内存业者坦承,对于2011年3大阵营庞大产能一起出笼,需求端是否能消化这么大产能,仍需要进一步观察。

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