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海力士量产20纳米64Gb闪存

发布时间:2010-10-12 22:37:00 浏览次数:1882次 类别:行业厂商资讯
  

  韩国Hynix海力士半导体公司近日宣布,已经在其韩国青州M11 300mm晶圆厂开始使用20nm级制程工艺量产64Gb容量NAND闪存芯片。这是继Intel、美光合资公司今年5月宣布量产25nm工艺闪存后,第二家量产当前最先进的20nm级制程闪存的厂商。


海力士闪存芯片

  海力士在官方新闻稿中并没有明确其新工艺的具体制程,仅笼统称为“20nm级”,但根据今年2月该技术宣布时的报道,他们应用的制程应为26nm。

  海力士表示,新闪存的存储密度比之前制造的32Gb颗粒提高了一倍,而由于使用了20nm级工艺,生产效率比30nm级工艺提升了60%。有了新工艺大容量闪存,海力士将可以满足新一代移动设备对更小尺寸、更大容量闪存的迫切需求。


海力士闪存晶圆

  另外海力士还同时宣布,他们已经开发出了一款结合自己30nm级32Gb闪存,以及以色列Anobit公司控制器技术的集成闪存解决方案产品,可显著提高读写速度,并改善存储设备可靠性。到今年9月,20nm级工艺NAND闪存也将实现与Anobit控制器的集成。

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