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闪存一周谈:1月上旬合约价持续上涨

发布时间:2011-01-21 09:36:00 浏览次数:1662次 类别:U盘新闻
  

库存回补需求自12月中提前回温1月上旬主流 NAND Flash 合约价持续上涨约2-5%

  市场原先预期NAND Flash价格将在年终备货高峰期过后开始回软,但受到12上旬东芝跳电意外事件的影响,导致下游记忆卡客户在预期1月份市场将发生供货减少、年底前记忆 卡客户的库存处于低水位的状况下,12月中旬已提前准备中国农历年前所需库存。致使NAND Flash合约价在12月份出现明显止跌反弹状况,1月份部份供货商也接到智能手机及平板计算机等系统客户的OEM 订单,因此1月上旬NAND Flash的供货呈现偏紧的状况,1月上旬主流 MLC NAND Flash 合约价上涨2-5%。

  展望后市,因记忆卡客户在年终假期的销售状况大致符合预期,若1月底前中国的严寒天气未明显影响地到供销体系,预期客户的库存回补需求,在中国 农历年前将可望持续并使价格小幅上涨或持稳。中国农历年过后,预期来自记忆卡客户的采购需求将受到淡季效用影响而转弱,故价格的支撑力将视系统客户的 OEM订单在2月份后,能否弥补记忆卡及 UFD市场的淡季效应。

  我们预期2Q11除了部份系统客户的OEM订单仍将持稳外,更多系统客户的高性能高容量移动装置要到2H11才会正式上市,因此1Q11 NAND Flash市场将呈现淡季不淡的状况,并使价格小幅反弹,但2Q11因传统淡季型态仍将存在,价格将会下跌,下半年若先进国家经济持续复苏,更多厂商的智 能手机、 平板计算机及可携式PC新产品上市,即可望强化2H11的旺季备货需求,进而带动价格在3Q11止跌反弹。此外2011年多数供货商的产出成长策略,也将 采取接近市场需求的成长率模式,希望能使2011年NAND Flash市场维持在供需平衡的状况,以便降低价格下跌对获利率的影响。此外,我们预期2011年价格受季节性因素的影响,将会比2010年来得明 显,2011年NAND Flash 价格走势也因制程成本升级,而下跌约29% YoY,将会高于2010年15%YoY价格跌幅。

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