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SanDisk宣布下一代iNAND嵌入式闪存 专攻智能机/平板机

发布时间:2011-02-15 09:26:00 浏览次数:1645次 类别:行业厂商资讯
  

巴塞罗那的WMC 2011世界通信大会上,SanDisk宣布了下一代iNAND、iNAND Ultra嵌入式闪存驱动器(EFD),封装体积更加小巧。SanDisk的新一代iNAND嵌入式闪存芯片采用24nm新工艺制造,结合新的封装技术,封装体积减少到仅仅13×11.5×1.0毫米,iNAND EFD驱动器封装尺寸则是JEDEC标准的12×16毫米,更适合打造轻薄型智能手机、平板机产品,容量最大8GB。

iNAND EFD基于SanDisk X3 NAND闪存技术,每单元存储三比特数据,iNAND Ultra EFD则基于X2 MLC NAND闪存技术,容量最少2GB,最大64GB,而上代产品最大才不过16GB。

SanDisk将从2011年第三季度开始出货新一代iNAND嵌入式闪存芯片和驱动器。

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